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首款12層堆疊HBM3內存發布,單條最高容量24GB|前沿資訊

2023-04-20 17:54:03來源:中關村在線  


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SK海力士20日宣布,全球首次實現垂直堆疊12個單品DRAM芯片,成功開發出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產品,并正在接受客戶公司的性能驗證。

據了解,SK海力士在此次此新產品采用了MR-MUF和TSV技術。SK海力士表示,通過MR-MUF技術加強了工藝效率和產品性能的穩定性,又利用TSV技術將12個比現有芯片薄40%的單品DRAM芯片垂直堆疊,實現了與16GB產品相同的高度。

TSV技術指的是硅通孔技術,在DRAM芯片打上數千個細微的孔,并通過垂直貫通的電極連接上下芯片的先進封裝技術。采用該技術的SK海力士HBM3 DRAM可每秒傳輸163部全高清(Full-HD)電影,最大速度可達819GB/s。

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